Bipolartransistor MJ11011

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJ11011

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -30 A
  • Verlustleistung, max: 200 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 1000
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des MJ11011

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Equivalent circuit

MJ11011 equivalent circuit

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum MJ11011 ist der MJ11012.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJ11011

Sie können den Transistor MJ11011 durch einen MJ11011G, MJ11013, MJ11013G, MJ11015, MJ11015G, MJ11029, MJ11029G, MJ11031, MJ11031G, MJ11033 oder MJ11033G ersetzen.

Bleifreie Version

Der MJ11011G-Transistor ist die bleifreie Version des MJ11011.
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