Bipolartransistor MJ11013

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJ11013

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -90 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -90 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -30 A
  • Verlustleistung, max: 200 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 1000
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des MJ11013

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Equivalent circuit

MJ11013 equivalent circuit

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum MJ11013 ist der MJ11014.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJ11013

Sie können den Transistor MJ11013 durch einen MJ11013G, MJ11015, MJ11015G, MJ11031, MJ11031G, MJ11033 oder MJ11033G ersetzen.

Bleifreie Version

Der MJ11013G-Transistor ist die bleifreie Version des MJ11013.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com