Bipolartransistor 2N6650

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6650

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
  • Verlustleistung, max: 100 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 1000 bis 20000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2N6650

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2N6650 ist der 2N6385.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6650

Sie können den Transistor 2N6650 durch einen 2SA746, 2SA747, 2SA747A, 2SA907, 2SA908, 2SB722, BD316, BD318, BDX64A, BDX64B, BDX64C, BDX66A, BDX66B, BDX66C, BDX68A, BDX68B, BDX68C, MJ11013, MJ11013G, MJ11015, MJ11015G, MJ2501, MJ4031, MJ4032, TIP606, TIP607, TIP646 oder TIP647 ersetzen.
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