Bipolartransistor MJ11011G

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJ11011G

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -30 A
  • Verlustleistung, max: 200 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 1000
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3
  • Der MJ11011G ist die bleifreie Version des MJ11011-Transistors

Pinbelegung des MJ11011G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Equivalent circuit

MJ11011G equivalent circuit

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum MJ11011G ist der MJ11012G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJ11011G

Sie können den Transistor MJ11011G durch einen MJ11011, MJ11013, MJ11013G, MJ11015, MJ11015G, MJ11029, MJ11029G, MJ11031, MJ11031G, MJ11033 oder MJ11033G ersetzen.
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