Bipolartransistor MJ11015G

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJ11015G

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -30 A
  • Verlustleistung, max: 200 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 1000
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3
  • Der MJ11015G ist die bleifreie Version des MJ11015-Transistors

Pinbelegung des MJ11015G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Equivalent circuit

MJ11015G equivalent circuit

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum MJ11015G ist der MJ11016G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJ11015G

Sie können den Transistor MJ11015G durch einen MJ11015, MJ11033 oder MJ11033G ersetzen.
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