Bipolartransistor MJ11031G

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJ11031G

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -90 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -90 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -50 A
  • Verlustleistung, max: 300 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 1000 bis 18000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3
  • Der MJ11031G ist die bleifreie Version des MJ11031-Transistors

Pinbelegung des MJ11031G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Equivalent circuit

MJ11031G equivalent circuit

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum MJ11031G ist der MJ11030G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJ11031G

Sie können den Transistor MJ11031G durch einen MJ11031, MJ11033 oder MJ11033G ersetzen.
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