Bipolartransistor BDX62B

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDX62B

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -8 A
  • Verlustleistung, max: 90 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 1000
  • Übergangsfrequenz, min: 7 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des BDX62B

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BDX62B ist der BDX63B.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDX62B

Sie können den Transistor BDX62B durch einen BDX62C, BDX64B, BDX64C, BDX66B, BDX66C, BDX68B, BDX68C, MJ11015, MJ11015G, MJ11033, MJ11033G, MJ4032, TIP607 oder TIP647 ersetzen.
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