Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC1212A-B
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 4 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
Verlustleistung, max: 8 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 120
Übergangsfrequenz, min: 160 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des 2SC1212A-B
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SC1212A-B kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC1212A liegt im Bereich von 60 bis 200, die des 2SC1212A-C im Bereich von 100 bis 200.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC1212A-B-Transistor könnte nur mit "C1212A-B" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC1212A-B ist der 2SA743A-B.
SMD-Version des Transistors 2SC1212A-B
Der 2SC3438 (SOT-89), 2SC3438-C (SOT-89), BCP56 (SOT-223), BSR42 (SOT-89), FMMTA06 (SOT-23) und KST06 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SC1212A-B-Transistors.