Bipolartransistor 2SD600

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD600

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
  • Verlustleistung, max: 8 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 320
  • Übergangsfrequenz, min: 130 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SD600

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD600 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD600-D liegt im Bereich von 60 bis 120, die des 2SD600-E im Bereich von 100 bis 200, die des 2SD600-F im Bereich von 160 bis 320.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD600-Transistor könnte nur mit "D600" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD600 ist der 2SB631.

SMD-Version des Transistors 2SD600

Der 2SC3438 (SOT-89) ist die SMD-Version des 2SD600-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD600

Sie können den Transistor 2SD600 durch einen 2SC2481, 2SC2690, 2SC2690A, 2SD600K, 2SD669, KSC2690, KSC2690A oder MJE244 ersetzen.
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