Bipolartransistor 2SD669A-B

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD669A-B

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 160 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 180 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
  • Verlustleistung, max: 20 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 120
  • Übergangsfrequenz, min: 140 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SD669A-B

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD669A-B kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD669A liegt im Bereich von 60 bis 200, die des 2SD669A-C im Bereich von 100 bis 200.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD669A-B-Transistor könnte nur mit "D669A-B" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD669A-B ist der 2SB649A-B.
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