Bipolartransistor 2SD600K

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD600K

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
  • Verlustleistung, max: 8 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 320
  • Übergangsfrequenz, min: 130 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SD600K

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD600K kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD600K-D liegt im Bereich von 60 bis 120, die des 2SD600K-E im Bereich von 100 bis 200, die des 2SD600K-F im Bereich von 160 bis 320.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD600K-Transistor könnte nur mit "D600K" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD600K ist der 2SB631K.

SMD-Version des Transistors 2SD600K

Der FMMT625 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SD600K-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD600K

Sie können den Transistor 2SD600K durch einen 2SC2481, 2SC2690, 2SC2690A, 2SD669, KSC2690 oder KSC2690A ersetzen.
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