Bipolartransistor 2N6667G

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
• Verlustleistung, max: 65 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 1000 bis 20000
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220
• Der 2N6667G ist die bleifreie Version des 2N6667-Transistors

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2N6667G ist der 2N6387G.Sie können den Transistor 2N6667G durch einen 2N6667, 2N6668, 2N6668G, BD546A, BD546B, BD546C, BD808, BD810, BDT62, BDT62A, BDT62B, BDT62C, BDT64, BDT64A, BDT64B, BDT64C, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW45, BDW46, BDW46G, BDW47, BDW47G, BDW48, BDX34A, BDX34B, BDX34BG, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, D45H11, D45H11FP, D45H8, TIP145T, TIP146T oder TIP147T ersetzen.