Bipolartransistor 2N6667G
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6667G
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
- Verlustleistung, max: 65 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 1000 bis 20000
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-220
- Der 2N6667G ist die bleifreie Version des 2N6667-Transistors
Pinbelegung des 2N6667G
Equivalent circuit
Komplementärer NPN-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6667G
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