Bipolartransistor 2N6667G

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6667G

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
  • Verlustleistung, max: 65 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 1000 bis 20000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220
  • Der 2N6667G ist die bleifreie Version des 2N6667-Transistors

Pinbelegung des 2N6667G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Equivalent circuit

2N6667G equivalent circuit

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2N6667G ist der 2N6387G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6667G

Sie können den Transistor 2N6667G durch einen 2N6667, 2N6668, 2N6668G, BD546A, BD546B, BD546C, BD808, BD810, BDT62, BDT62A, BDT62B, BDT62C, BDT64, BDT64A, BDT64B, BDT64C, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW45, BDW46, BDW46G, BDW47, BDW47G, BDW48, BDX34A, BDX34B, BDX34BG, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, D45H11, D45H11FP, D45H8, TIP145T, TIP146T oder TIP147T ersetzen.
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