Bipolartransistor BDT64

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDT64

Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -12 A
Verlustleistung, max: 125 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 1000
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des BDT64

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BDT64 ist der BDT65.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDT64

Sie können den Transistor BDT64 durch einen BDT64A, BDT64B, BDT64C, BDW45, BDW46, BDW46G, BDW47, BDW47G, BDW48, MJF6668 oder MJF6668G ersetzen.

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