Bipolartransistor 2SB951

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB951

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -8 A
  • Verlustleistung, max: 45 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 2000 bis 10000
  • Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des 2SB951

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB951 kann eine Gleichstromverstärkung von 2000 bis 10000 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB951-P liegt im Bereich von 4000 bis 10000, die des 2SB951-Q im Bereich von 2000 bis 5000.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB951-Transistor könnte nur mit "B951" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB951 ist der 2SD1277.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB951

Sie können den Transistor 2SB951 durch einen 2N6040, 2N6040G, 2N6041, 2N6041G, 2N6042, 2N6042G, 2N6667, 2N6667G, 2N6668, 2N6668G, 2SB1225, 2SB1228, 2SB882, 2SB886, 2SB951A, BD204, BD304, BD536, BD538, BD544A, BD544B, BD544C, BD546A, BD546B, BD546C, BD646, BD648, BD650, BD652, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD898, BD898A, BD900, BD900A, BD902, BDT62, BDT62A, BDT62B, BDT62C, BDT64, BDT64A, BDT64B, BDT64C, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW45, BDW46, BDW46G, BDW47, BDW47G, BDW48, BDW74A, BDW74B, BDW74C, BDW74D, BDX34A, BDX34B, BDX34BG, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, BDX54A, BDX54B, BDX54BG, BDX54C, BDX54CG, BDX54D, BDX78, D45H11, D45H11FP, D45H8, MJE15029, MJE15029G, TIP105, TIP105G, TIP106, TIP106G, TIP107, TIP107G, TIP135, TIP135G, TIP136, TIP136G, TIP137, TIP137G, TIP145T, TIP146T oder TIP147T ersetzen.
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