Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB949A-Q
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
Verlustleistung, max: 35 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 2000 bis 5000
Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220F
Pinbelegung des 2SB949A-Q
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB949A-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 2000 bis 5000 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB949A liegt im Bereich von 2000 bis 10000, die des 2SB949A-P im Bereich von 4000 bis 10000.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB949A-Q-Transistor könnte nur mit "B949A-Q" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB949A-Q ist der 2SD1275A-Q.
SMD-Version des Transistors 2SB949A-Q
Der BSP62 (SOT-223), BSP62T1 (SOT-223), BSP62T1G (SOT-223), BSP62T3 (SOT-223) und BSP62T3G (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB949A-Q-Transistors.