Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB601-M
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -5 A
Verlustleistung, max: 30 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 2000 bis 5000
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des 2SB601-M
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB601-M kann eine Gleichstromverstärkung von 2000 bis 5000 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB601 liegt im Bereich von 2000 bis 15000, die des 2SB601-K im Bereich von 5000 bis 15000, die des 2SB601-L im Bereich von 3000 bis 7000.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB601-M-Transistor könnte nur mit "B601-M" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB601-M ist der 2SD560-MB.