Bipolartransistor 2SB601-M

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB601-M

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -5 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 2000 bis 5000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SB601-M

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB601-M kann eine Gleichstromverstärkung von 2000 bis 5000 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB601 liegt im Bereich von 2000 bis 15000, die des 2SB601-K im Bereich von 5000 bis 15000, die des 2SB601-L im Bereich von 3000 bis 7000.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB601-M-Transistor könnte nur mit "B601-M" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB601-M ist der 2SD560-MB.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB601-M

Sie können den Transistor 2SB601-M durch einen 2N6042, 2N6042G, 2SB1020, 2SB1020A, 2SB1227, 2SB1228, 2SB673, 2SB885, 2SB886, BD244C, BD540C, BD544C, BD546C, BD650, BD652, BD802, BD902, BD954, BD956, BDT62B, BDT62C, BDT64B, BDT64C, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW24C, BDW47, BDW47G, BDW48, BDW64C, BDW64D, BDW74C, BDW74D, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, BDX54C, BDX54CG, BDX54D, BDX54E, BDX54F, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF127, MJF127G, MJF15031, MJF15031G, TIP107, TIP107G, TIP127, TIP127G, TIP137, TIP137G, TIP147T oder TTB1020B ersetzen.
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