Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1317-T
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.2 A
Verlustleistung, max: 0.3 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 400
Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92S
Pinbelegung des 2SA1317-T
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA1317-T kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1317 liegt im Bereich von 100 bis 560, die des 2SA1317-R im Bereich von 100 bis 200, die des 2SA1317-S im Bereich von 140 bis 280, die des 2SA1317-U im Bereich von 280 bis 560.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1317-T-Transistor könnte nur mit "A1317-T" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1317-T ist der 2SC3330-T.