Bipolartransistor FJX733G

Elektrische Eigenschaften des Transistors FJX733G

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.15 A
  • Verlustleistung, max: 0.2 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
  • Rauschzahl, max: 2.8 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-323

Pinbelegung des FJX733G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor FJX733G kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des FJX733 liegt im Bereich von 40 bis 700, die des FJX733L im Bereich von 350 bis 700, die des FJX733O im Bereich von 70 bis 140, die des FJX733R im Bereich von 40 bis 80, die des FJX733Y im Bereich von 120 bis 240.

Kennzeichnung

Der FJX733G-Transistor ist als "SBG" gekennzeichnet.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum FJX733G ist der FJX945G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor FJX733G

Sie können den Transistor FJX733G durch einen 2SA1586 oder 2SA1586-GR ersetzen.
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