Bipolartransistor KSA708C

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSA708C

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -8 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.7 A
  • Verlustleistung, max: 0.8 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des KSA708C

Der KSA708C wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Das Suffix "C" steht für den mittleren Kollektor in KSA708.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSA708C kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSA708CO liegt im Bereich von 70 bis 140, die des KSA708CR im Bereich von 40 bis 80, die des KSA708CY im Bereich von 120 bis 240.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum KSA708C ist der KSC1008C.
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