Transistor bipolaire KSA642G

Caractéristiques électriques du transistor KSA642G

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -25 V
  • Tension collecteur-base maximum: -30 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.4 W
  • Gain de courant (hfe): 200 à 400
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92
  • Electrically Similar to the Popular 2SA642G transistor

Brochage du KSA642G

Le KSA642G est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur. Le transistor KSA642CG (avec le suffixe "C") est la version à collecteur central du KSA642G.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KSA642G peut avoir un gain en courant continu de 200 à 400. Le gain en courant continu du KSA642 est compris entre 70 à 400, celui du KSA642O entre 70 à 140, celui du KSA642Y entre 120 à 240.

Complémentaire du transistor KSA642G

Le transistor NPN complémentaire du KSA642G est le KSD227G.

Transistor KSA642G en boîtier TO-92

Le 2SA642G est la version TO-92 du KSA642G.

Substituts et équivalents pour le transistor KSA642G

Vous pouvez remplacer le transistor KSA642G par 2SA642, 2SA642G, 2SB564A, 2SB564AGR, BCX79, KSB564A, KSB564AG, MPS6535, MPS6651, MPS6651G, MPS6652, MPS6652G, MPS750, MPS750G, MPSW51, MPSW51A, MPSW51AG, MPSW51G, NTE193 ou PN200.
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