Transistor bipolaire KSB1116-G

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -50 V
• Tension collecteur-base maximum: -60 V
• Tension émetteur-base maximum: -6 V
• Courant collecteur continu maximum: -1 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.75 W
• Gain de courant (h_fe): 200 à 400
• Fréquence de transition minimum: 120 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-92
• Electrically Similar to the Popular 2SB1116-K transistor

Le KSB1116-G est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor KSB1116-G peut avoir un gain en courant continu de 200 à 400. Le gain en courant continu du KSB1116 est compris entre 135 à 600, celui du KSB1116-L entre 300 à 600, celui du KSB1116-Y entre 135 à 270.Le transistor NPN complémentaire du KSB1116-G est le KSD1616-G.Le 2SB1115 (SOT-89), 2SB1115-YL (SOT-89), 2SB1122 (SOT-89), 2SB1122-T (SOT-89), 2STR2160 (SOT-23), FMMTA55 (SOT-23), KST55 (SOT-23), MMBT4354 (SOT-23), MMBT4355 (SOT-23), MMBTA55 (SOT-23), PZTA55 (SOT-223) et SMBTA55 (SOT-23) est la version SMD du transistor KSB1116-G.Le 2SB1116-K est la version TO-92 du KSB1116-G.Vous pouvez remplacer le transistor KSB1116-G par 2SA1382, 2SA1680, 2SA1761, 2SB1116, 2SB1116-K, 2SB1116A, 2SB1116A-K, 2SB1229, 2SB1229-T, 2SB892, 2SB892-T, 2SB985, 2SB985T, KSB1116A, KSB1116A-G, KSB1116S ou KSB1116S-G.