Transistor bipolaire KSB1116A-G

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
• Tension collecteur-base maximum: -80 V
• Tension émetteur-base maximum: -6 V
• Courant collecteur continu maximum: -1 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.75 W
• Gain de courant (h_fe): 200 à 400
• Fréquence de transition minimum: 120 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-92
• Electrically Similar to the Popular 2SB1116A-K transistor

Le KSB1116A-G est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor KSB1116A-G peut avoir un gain en courant continu de 200 à 400. Le gain en courant continu du KSB1116A est compris entre 135 à 400, celui du KSB1116A-Y entre 135 à 270.Le transistor NPN complémentaire du KSB1116A-G est le KSD1616A-G.Le 2SB1115A (SOT-89) et 2SB1115A-YP (SOT-89) est la version SMD du transistor KSB1116A-G.Le 2SB1116A-K est la version TO-92 du KSB1116A-G.Vous pouvez remplacer le transistor KSB1116A-G par 2SB1116A ou 2SB1116A-K.