Transistor bipolaire SMBTA55

Caractéristiques électriques du transistor SMBTA55

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
  • Tension collecteur-base maximum: -60 V
  • Tension émetteur-base maximum: -4 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.33 W
  • Gain de courant (hfe): 100
  • Fréquence de transition minimum: 100 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-23

Brochage du SMBTA55

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Marquage

Le transistor SMBTA55 est marqué "s1G".

Complémentaire du transistor SMBTA55

Le transistor NPN complémentaire du SMBTA55 est le SMBTA05.

Substituts et équivalents pour le transistor SMBTA55

Vous pouvez remplacer le transistor SMBTA55 par 2STR2160, BCW89, FMMT2907A, FMMT2907AR, FMMT591, FMMT591Q, KN2907AS, KST2907A, KTN2907AS, MMBT2907A, MMBT4355, MMBTA55, MMBTA56, PMBT2907A, PMBTA56, PMST2907A ou SMBTA56.
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