Transistor bipolaire 2SB1116A-K

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
• Tension collecteur-base maximum: -80 V
• Tension émetteur-base maximum: -6 V
• Courant collecteur continu maximum: -1 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.75 W
• Gain de courant (h_fe): 200 à 400
• Fréquence de transition minimum: 120 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-92

Le 2SB1116A-K est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SB1116A-K peut avoir un gain en courant continu de 200 à 400. Le gain en courant continu du 2SB1116A est compris entre 135 à 400, celui du 2SB1116A-L entre 135 à 270, celui du 2SB1116A-U entre 300 à 600.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1116A-K peut n'être marqué que B1116A-K.Le transistor NPN complémentaire du 2SB1116A-K est le 2SD1616A-K.Le 2SB1115A (SOT-89) et 2SB1115A-YP (SOT-89) est la version SMD du transistor 2SB1116A-K.Le KSB1116A-G est la version TO-92 du 2SB1116A-K.Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1116A-K par KSB1116A ou KSB1116A-G.