Transistor bipolaire 2SB1229-T

Caractéristiques électriques du transistor 2SB1229-T

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -50 V
  • Tension collecteur-base maximum: -60 V
  • Tension émetteur-base maximum: -6 V
  • Courant collecteur continu maximum: -2 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.75 W
  • Gain de courant (hfe): 200 à 400
  • Fréquence de transition minimum: 150 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du 2SB1229-T

Le 2SB1229-T est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB1229-T peut avoir un gain en courant continu de 200 à 400. Le gain en courant continu du 2SB1229 est compris entre 100 à 560, celui du 2SB1229-R entre 100 à 200, celui du 2SB1229-S entre 140 à 280, celui du 2SB1229-U entre 280 à 560.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1229-T peut n'être marqué que B1229-T.

Complémentaire du transistor 2SB1229-T

Le transistor NPN complémentaire du 2SB1229-T est le 2SD1835-T.

Version SMD du transistor 2SB1229-T

Le 2SB1115 (SOT-89), 2SB1115-YL (SOT-89), 2SB1122 (SOT-89), 2SB1122-T (SOT-89), 2SB1123 (SOT-89), 2SB1123-T (SOT-89) et 2STR2160 (SOT-23) est la version SMD du transistor 2SB1229-T.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1229-T

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1229-T par 2SA1382, 2SA1680, 2SA1761, 2SB892, 2SB892-T, 2SB985 ou 2SB985T.
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