Transistor bipolaire 2SB1116A

Caractéristiques électriques du transistor 2SB1116A

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
  • Tension collecteur-base maximum: -80 V
  • Tension émetteur-base maximum: -6 V
  • Courant collecteur continu maximum: -1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.75 W
  • Gain de courant (hfe): 135 à 400
  • Fréquence de transition minimum: 120 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du 2SB1116A

Le 2SB1116A est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB1116A peut avoir un gain en courant continu de 135 à 400. Le gain en courant continu du 2SB1116A-K est compris entre 200 à 400, celui du 2SB1116A-L entre 135 à 270, celui du 2SB1116A-U entre 300 à 600.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1116A peut n'être marqué que B1116A.

Complémentaire du transistor 2SB1116A

Le transistor NPN complémentaire du 2SB1116A est le 2SD1616A.

Version SMD du transistor 2SB1116A

Le 2SB1115A (SOT-89) est la version SMD du transistor 2SB1116A.

Transistor 2SB1116A en boîtier TO-92

Le KSB1116A est la version TO-92 du 2SB1116A.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1116A

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1116A par KSB1116A.
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