Transistor bipolaire KSB1116S
Caractéristiques électriques du transistor KSB1116S
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -50 V
- Tension collecteur-base maximum: -60 V
- Tension émetteur-base maximum: -6 V
- Courant collecteur continu maximum: -1 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.75 W
- Gain de courant (hfe): 135 à 600
- Fréquence de transition minimum: 120 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-92
Brochage du KSB1116S
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Version SMD du transistor KSB1116S
Substituts et équivalents pour le transistor KSB1116S
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