Transistor bipolaire 2N4400

Caractéristiques électriques du transistor 2N4400

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 40 V
  • Tension collecteur-base maximum: 60 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.6 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
  • Gain de courant (hfe): 50 à 150
  • Fréquence de transition minimum: 200 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du 2N4400

Le 2N4400 est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor 2N4400

Le transistor PNP complémentaire du 2N4400 est le 2N4402.

Version SMD du transistor 2N4400

Le MMBT4400 (SOT-23) est la version SMD du transistor 2N4400.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N4400

Vous pouvez remplacer le transistor 2N4400 par 2SC1008, BC537, BC538, KSC1008, ZTX451 ou ZTX452.
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