Transistor bipolaire 2SB1251-Q

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -90 V
• Tension collecteur-base maximum: -110 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -4 A
• Dissipation de puissance maximum: 40 W
• Gain de courant (h_fe): 8000 à 30000
• Fréquence de transition minimum: 20 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-220F

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SB1251-Q peut avoir un gain en courant continu de 8000 à 30000. Le gain en courant continu du 2SB1251 est compris entre 5000 à 30000, celui du 2SB1251-P entre 5000 à 15000.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1251-Q peut n'être marqué que B1251-Q.Le transistor NPN complémentaire du 2SB1251-Q est le 2SD1891-Q.Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1251-Q par 2SB1227, 2SB1228, 2SB1252, 2SB1252-Q, 2SB1481, 2SB1626, 2SB885, 2SB886, BD244C, BD540C, BD544C, BD546C, BD650, BD652, BD802, BD902, BD954, BD956, BDT60B, BDT60C, BDT62B, BDT62C, BDT64B, BDT64C, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW47, BDW47G, BDW48, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, BDX54C, BDX54CG, BDX54D, BDX54E, BDX54F, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF127, MJF127G, MJF15031, MJF15031G, TIP127, TIP127G ou TIP147T.