Caractéristiques électriques du transistor 2SB760-P
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
Tension collecteur-base maximum: -60 V
Tension émetteur-base maximum: -5 V
Courant collecteur continu maximum: -1 A
Dissipation de puissance maximum: 30 W
Gain de courant (hfe): 120 à 250
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-220
Brochage du 2SB760-P
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SB760-P peut avoir un gain en courant continu de 120 à 250. Le gain en courant continu du 2SB760 est compris entre 40 à 250, celui du 2SB760-Q entre 70 à 150, celui du 2SB760-R entre 40 à 90.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB760-P peut n'être marqué que B760-P.