Caractéristiques électriques du transistor KSB1366
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
Tension collecteur-base maximum: -60 V
Tension émetteur-base maximum: -7 V
Courant collecteur continu maximum: -3 A
Dissipation de puissance maximum: 25 W
Gain de courant (hfe): 100 à 320
Fréquence de transition minimum: 9 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-220F
Brochage du KSB1366
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor KSB1366 peut avoir un gain en courant continu de 100 à 320. Le gain en courant continu du KSB1366-G est compris entre 150 à 320, celui du KSB1366-Y entre 100 à 200.
Complémentaire du transistor KSB1366
Le transistor NPN complémentaire du KSB1366 est le KSD2012.
Version SMD du transistor KSB1366
Le BDP950 (SOT-223) est la version SMD du transistor KSB1366.
Substituts et équivalents pour le transistor KSB1366