Transistor bipolaire 2SB762-P

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
• Tension collecteur-base maximum: -60 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -4 A
• Dissipation de puissance maximum: 40 W
• Gain de courant (h_fe): 120 à 250
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SB762-P peut avoir un gain en courant continu de 120 à 250. Le gain en courant continu du 2SB762 est compris entre 40 à 250, celui du 2SB762-Q entre 70 à 150, celui du 2SB762-R entre 40 à 90.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB762-P peut n'être marqué que B762-P.Le transistor NPN complémentaire du 2SB762-P est le 2SD857-P.Le BDP950 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SB762-P.Vous pouvez remplacer le transistor 2SB762-P par 2SA1262, 2SA1289, 2SA1290, 2SA1291, 2SA1469, 2SA1470, 2SA1471, 2SA1488, 2SA1488A, 2SA1634, 2SA1635, 2SA1742, 2SA1743, 2SA1744, 2SA770, 2SA771, 2SB633, 2SB762A, 2SB762A-P, 2SB858, 2SB870, 2SB942, 2SB942-P, 2SB942A, 2SB942A-P, 2SB944, 2SB945, 2SB946, BD204, BD244A, BD244B, BD244C, BD304, BD536, BD538, BD540A, BD540B, BD540C, BD544A, BD544B, BD544C, BD546A, BD546B, BD546C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD950, BD952, BD954, BD956, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D44C7, D44C8, D44C9, D45C10, D45C11, D45C12, D45C7, D45C8, D45C9, D45H11, D45H11FP, D45H8, MJE15029 ou MJE15029G.