Transistor bipolaire 2SB762A-P

Caractéristiques électriques du transistor 2SB762A-P

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
  • Tension collecteur-base maximum: -80 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -4 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 120 à 250
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du 2SB762A-P

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB762A-P peut avoir un gain en courant continu de 120 à 250. Le gain en courant continu du 2SB762A est compris entre 40 à 250, celui du 2SB762A-Q entre 70 à 150, celui du 2SB762A-R entre 40 à 90.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB762A-P peut n'être marqué que B762A-P.

Complémentaire du transistor 2SB762A-P

Le transistor NPN complémentaire du 2SB762A-P est le 2SD857A-P.

Version SMD du transistor 2SB762A-P

Le BDP952 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SB762A-P.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB762A-P

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB762A-P par 2SA1488A, 2SA1634, 2SA1635, 2SA771, 2SB633, 2SB870, 2SB942A, 2SB942A-P, 2SB944, 2SB945, 2SB946, BD244B, BD244C, BD538, BD540B, BD540C, BD544B, BD544C, BD546B, BD546C, BD800, BD802, BD810, BD952, BD954, BD956, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D45C10, D45C11, D45C12, D45H11, D45H11FP, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 ou MJF15031G.
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