Transistor bipolaire 2SB1250-Q

Caractéristiques électriques du transistor 2SB1250-Q

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
  • Tension collecteur-base maximum: -100 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 35 W
  • Gain de courant (hfe): 8000 à 30000
  • Fréquence de transition minimum: 20 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220F

Brochage du 2SB1250-Q

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB1250-Q peut avoir un gain en courant continu de 8000 à 30000. Le gain en courant continu du 2SB1250 est compris entre 5000 à 30000, celui du 2SB1250-P entre 5000 à 15000.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1250-Q peut n'être marqué que B1250-Q.

Complémentaire du transistor 2SB1250-Q

Le transistor NPN complémentaire du 2SB1250-Q est le 2SD1890-Q.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1250-Q

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1250-Q par 2SA1488A, 2SA771, 2SB1024, 2SB1226, 2SB1227, 2SB1228, 2SB1251, 2SB1251-Q, 2SB1252, 2SB1252-Q, 2SB1481, 2SB1626, 2SB884, 2SB885, 2SB886, BD242B, BD242C, BD244B, BD244C, BD538, BD540B, BD540C, BD544B, BD544C, BD546B, BD546C, BD648, BD650, BD652, BD800, BD802, BD810, BD900, BD900A, BD902, BD952, BD954, BD956, BDT60A, BDT60B, BDT60C, BDT62A, BDT62B, BDT62C, BDT64A, BDT64B, BDT64C, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW46, BDW46G, BDW47, BDW47G, BDW48, BDX34B, BDX34BG, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, BDX54B, BDX54BG, BDX54C, BDX54CG, BDX54D, BDX54E, BDX54F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D45C10, D45C11, D45C12, D45H11, D45H11FP, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE702T, MJE703T, MJF127, MJF127G, MJF15031, MJF15031G, TIP126, TIP126G, TIP127, TIP127G, TIP146T ou TIP147T.
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