Transistor bipolaire 2SB1626

Caractéristiques électriques du transistor 2SB1626

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -110 V
  • Tension collecteur-base maximum: -110 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -6 A
  • Dissipation de puissance maximum: 60 W
  • Gain de courant (hfe): 5000 à 30000
  • Fréquence de transition minimum: 100 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220F

Brochage du 2SB1626

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB1626 peut avoir un gain en courant continu de 5000 à 30000. Le gain en courant continu du 2SB1626-O est compris entre 5000 à 12000, celui du 2SB1626-P entre 6500 à 20000, celui du 2SB1626-Y entre 15000 à 30000.

Equivalent circuit

2SB1626 equivalent circuit

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1626 peut n'être marqué que B1626.

Complémentaire du transistor 2SB1626

Le transistor NPN complémentaire du 2SB1626 est le 2SD2495.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1626

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1626 par BD652, BDT62C, BDT64C, BDT88, BDT88F, BDW48, BDX34D, BDX54D, BDX54E, BDX54F, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 ou MJF15031G.
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