Transistor bipolaire 2SB1252-Q

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
• Tension collecteur-base maximum: -120 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -5 A
• Dissipation de puissance maximum: 45 W
• Gain de courant (h_fe): 8000 à 30000
• Fréquence de transition minimum: 20 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-220F

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SB1252-Q peut avoir un gain en courant continu de 8000 à 30000. Le gain en courant continu du 2SB1252 est compris entre 5000 à 30000, celui du 2SB1252-P entre 5000 à 15000.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1252-Q peut n'être marqué que B1252-Q.Le transistor NPN complémentaire du 2SB1252-Q est le 2SD1892-Q.Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1252-Q par 2SB1227, 2SB1228, 2SB1626, 2SB885, 2SB886, BD244C, BD540C, BD544C, BD546C, BD650, BD652, BD802, BD902, BD954, BD956, BDT62B, BDT62C, BDT64B, BDT64C, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW47, BDW47G, BDW48, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, BDX54C, BDX54CG, BDX54D, BDX54E, BDX54F, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF127, MJF127G, MJF15031, MJF15031G, TIP127, TIP127G ou TIP147T.