Transistor bipolaire 2SB1626-P

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -110 V
• Tension collecteur-base maximum: -110 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -6 A
• Dissipation de puissance maximum: 60 W
• Gain de courant (h_fe): 6500 à 20000
• Fréquence de transition minimum: 100 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-220F

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SB1626-P peut avoir un gain en courant continu de 6500 à 20000. Le gain en courant continu du 2SB1626 est compris entre 5000 à 30000, celui du 2SB1626-O entre 5000 à 12000, celui du 2SB1626-Y entre 15000 à 30000.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1626-P peut n'être marqué que B1626-P.Le transistor NPN complémentaire du 2SB1626-P est le 2SD2495-P.Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1626-P par BD652, BDT62C, BDT64C, BDT88, BDT88F, BDW48, BDW64D, BDW74D, BDX34D, BDX54D, BDX54E, BDX54F, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 ou MJF15031G.