Transistor bipolaire 2SB1626-O

Caractéristiques électriques du transistor 2SB1626-O

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -110 V
  • Tension collecteur-base maximum: -110 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -6 A
  • Dissipation de puissance maximum: 60 W
  • Gain de courant (hfe): 5000 à 12000
  • Fréquence de transition minimum: 100 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220F

Brochage du 2SB1626-O

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB1626-O peut avoir un gain en courant continu de 5000 à 12000. Le gain en courant continu du 2SB1626 est compris entre 5000 à 30000, celui du 2SB1626-P entre 6500 à 20000, celui du 2SB1626-Y entre 15000 à 30000.

Equivalent circuit

2SB1626-O equivalent circuit

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1626-O peut n'être marqué que B1626-O.

Complémentaire du transistor 2SB1626-O

Le transistor NPN complémentaire du 2SB1626-O est le 2SD2495-O.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1626-O

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1626-O par BD652, BDT62C, BDT64C, BDT88, BDT88F, BDW48, BDW64D, BDW74D, BDX34D, BDX54D, BDX54E, BDX54F, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 ou MJF15031G.
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