Transistor bipolaire 2SB1186-E

Caractéristiques électriques du transistor 2SB1186-E

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -120 V
  • Tension collecteur-base maximum: -120 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -1.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 20 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 200
  • Fréquence de transition minimum: 50 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220F

Brochage du 2SB1186-E

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB1186-E peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SB1186 est compris entre 100 à 320, celui du 2SB1186-F entre 160 à 320.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1186-E peut n'être marqué que B1186-E.

Complémentaire du transistor 2SB1186-E

Le transistor NPN complémentaire du 2SB1186-E est le 2SD1763-E.

Version SMD du transistor 2SB1186-E

Le 2SA1201 (SOT-89) et KTA1661 (SOT-89) est la version SMD du transistor 2SB1186-E.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1186-E

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1186-E par 2SA1006, 2SA1006-Q, 2SA1006A, 2SA1006A-Q, 2SA1011, 2SA1011E, 2SA1077, 2SA1078, 2SA1306, 2SA1306A, 2SA1306B, 2SA1667, 2SA1668, 2SA1859, 2SA1859A, 2SA1930, 2SA1964, 2SA1964-E, 2SA968, 2SA968A, 2SA968B, 2SA985, 2SA985-Q, 2SA985A, 2SA985A-Q, 2SB1085, 2SB1085-E, 2SB1085A, 2SB1085A-E, 2SB1186A, 2SB1186A-E, 2SB546, 2SB546A, 2SB546A-K, 2SB547, 2SB630, 2SB630-Q, 2SB861, 2SB861C, 2SB940, 2SB940-P, 2SB940A, 2SB940A-P, BD942, BD942F, BD956, BDT88, BDT88F, KSB546, KTA1659, KTA1659A, KTA968, KTA968A, KTB1369, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 ou MJF15031G.
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