Transistor bipolaire 2SB630-Q

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -200 V
• Tension collecteur-base maximum: -200 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -2 A
• Dissipation de puissance maximum: 25 W
• Gain de courant (h_fe): 100 à 200
• Fréquence de transition minimum: 4 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SB630-Q peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SB630 est compris entre 40 à 200, celui du 2SB630-R entre 60 à 120, celui du 2SB630-S entre 40 à 80.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB630-Q peut n'être marqué que B630-Q.Le transistor NPN complémentaire du 2SB630-Q est le 2SD610-Q.Vous pouvez remplacer le transistor 2SB630-Q par 2SA1009, 2SA1009-H, 2SA1009A, 2SA1009A-H, 2SA1668, MJE15033, MJE15033G, MJE15035, MJE15035G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852 ou MJE5852G.