Transistor bipolaire 2SB861
Caractéristiques électriques du transistor 2SB861
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -150 V
- Tension collecteur-base maximum: -200 V
- Tension émetteur-base maximum: -6 V
- Courant collecteur continu maximum: -2 A
- Dissipation de puissance maximum: 30 W
- Gain de courant (hfe): 60 à 200
- Température de stockage et de fonctionnement: -45 to +150 °C
- Boîtier: TO-220
Brochage du 2SB861
Classification de hFE
Marquage
Complémentaire du transistor 2SB861
Substituts et équivalents pour le transistor 2SB861
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