Caractéristiques électriques du transistor 2SB1085A-E
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -120 V
Tension collecteur-base maximum: -120 V
Tension émetteur-base maximum: -5 V
Courant collecteur continu maximum: -1.5 A
Dissipation de puissance maximum: 20 W
Gain de courant (hfe): 100 à 200
Fréquence de transition minimum: 50 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-220
Brochage du 2SB1085A-E
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SB1085A-E peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SB1085A est compris entre 60 à 200, celui du 2SB1085A-D entre 60 à 120.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1085A-E peut n'être marqué que B1085A-E.
Complémentaire du transistor 2SB1085A-E
Le transistor NPN complémentaire du 2SB1085A-E est le 2SD1562A-E.
Version SMD du transistor 2SB1085A-E
Le 2SA1201 (SOT-89) et KTA1661 (SOT-89) est la version SMD du transistor 2SB1085A-E.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1085A-E