Transistor bipolaire 2SB1186A-E

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -160 V
• Tension collecteur-base maximum: -160 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -1.5 A
• Dissipation de puissance maximum: 20 W
• Gain de courant (h_fe): 100 à 200
• Fréquence de transition minimum: 50 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-220F

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SB1186A-E peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SB1186A est compris entre 60 à 200, celui du 2SB1186A-D entre 60 à 120.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1186A-E peut n'être marqué que B1186A-E.Le transistor NPN complémentaire du 2SB1186A-E est le 2SD1763A-F.Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1186A-E par 2SA1006, 2SA1006-Q, 2SA1006A, 2SA1006A-Q, 2SA1006B, 2SA1006B-Q, 2SA1011, 2SA1011E, 2SA1306, 2SA1306A, 2SA1306B, 2SA1668, 2SA1859A, 2SA1930, 2SA1964, 2SA1964-E, 2SA968, 2SA968A, 2SA968B, 2SB630, 2SB630-Q, 2SB940A, 2SB940A-P, KTA1659, KTA1659A, KTA968, KTA968A, KTB1369, MJE15033, MJE15033G, MJE5850 ou MJE5850G.