Transistor bipolaire KTB1369

Caractéristiques électriques du transistor KTB1369

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -180 V
  • Tension collecteur-base maximum: -200 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -2 A
  • Dissipation de puissance maximum: 20 W
  • Gain de courant (hfe): 70 à 240
  • Fréquence de transition minimum: 100 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220F

Brochage du KTB1369

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KTB1369 peut avoir un gain en courant continu de 70 à 240. Le gain en courant continu du KTB1369O est compris entre 70 à 140, celui du KTB1369Y entre 120 à 240.

Complémentaire du transistor KTB1369

Le transistor NPN complémentaire du KTB1369 est le KTD2061.

Substituts et équivalents pour le transistor KTB1369

Vous pouvez remplacer le transistor KTB1369 par 2SA1668, 2SA1859A, 2SB940A, MJE15033, MJE15033G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851 ou MJE5851G.
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