Transistor bipolaire 2SB1186A

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -160 V
• Tension collecteur-base maximum: -160 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -1.5 A
• Dissipation de puissance maximum: 20 W
• Gain de courant (h_fe): 60 à 200
• Fréquence de transition minimum: 50 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-220F

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SB1186A peut avoir un gain en courant continu de 60 à 200. Le gain en courant continu du 2SB1186A-D est compris entre 60 à 120, celui du 2SB1186A-E entre 100 à 200.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1186A peut n'être marqué que B1186A.Le transistor NPN complémentaire du 2SB1186A est le 2SD1763A.Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1186A par 2SA1006, 2SA1006A, 2SA1006B, 2SA1011, 2SA1668, 2SA1859A, 2SA1964, 2SB630, 2SB940A, MJE15033, MJE15033G, MJE5850 ou MJE5850G.