Caractéristiques électriques du transistor 2SB861C
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -150 V
Tension collecteur-base maximum: -200 V
Tension émetteur-base maximum: -6 V
Courant collecteur continu maximum: -2 A
Dissipation de puissance maximum: 30 W
Gain de courant (hfe): 100 à 200
Température de stockage et de fonctionnement: -45 to +150 °C
Boîtier: TO-220
Brochage du 2SB861C
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SB861C peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SB861 est compris entre 60 à 200, celui du 2SB861B entre 60 à 120.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB861C peut n'être marqué que B861C.
Complémentaire du transistor 2SB861C
Le transistor NPN complémentaire du 2SB861C est le 2SD1138C.