Transistor bipolaire 2SB940-P

Caractéristiques électriques du transistor 2SB940-P

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -150 V
  • Tension collecteur-base maximum: -200 V
  • Tension émetteur-base maximum: -6 V
  • Courant collecteur continu maximum: -2 A
  • Dissipation de puissance maximum: 30 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 240
  • Fréquence de transition minimum: 20 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220F

Brochage du 2SB940-P

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB940-P peut avoir un gain en courant continu de 100 à 240. Le gain en courant continu du 2SB940 est compris entre 60 à 240, celui du 2SB940-Q entre 60 à 140.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB940-P peut n'être marqué que B940-P.

Complémentaire du transistor 2SB940-P

Le transistor NPN complémentaire du 2SB940-P est le 2SD1264-P.

Version SMD du transistor 2SB940-P

Le PBHV9115T (SOT-23), PBHV9115X (SOT-89), PBHV9115Z (SOT-223) et PBHV9215Z (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SB940-P.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB940-P

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB940-P par 2SA1667, 2SA1668, 2SA1859, 2SA1859A, 2SA1930, 2SB546, 2SB547, 2SB940A, 2SB940A-P, KSB546, KTB1369, MJE15031, MJE15031G, MJE15033, MJE15033G, MJE5850, MJE5850G, MJF15031 ou MJF15031G.
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