Transistor bipolar BD537K

Características del transistor BD537K

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 80 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 8 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 50 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 40 a 100
  • Frecuencia máxima de trabajo: 3 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del BD537K

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor BD537K puede tener una ganancia de corriente de 40 a 100. La ganancia del BD537 estará en el rango de 40 a 0, para el BD537J estará en el rango de 30 a 75.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del BD537K es el BD538K.

Sustitución y equivalentes para el transistor BD537K

Puede sustituir el BD537K por el 2N6488, 2N6488G, BD709, BD711, BD743B, BD743C, BD799, BD801, BD809, BD909, BD911, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDT93, BDT93F, BDT95, BDT95F, BDX77, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030, MJF15030G, MJF3055 o MJF3055G.
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