Transistor bipolar 2SB1251-P

Características del transistor 2SB1251-P

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -90 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -110 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -4 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 40 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 5000 a 15000
  • Frecuencia máxima de trabajo: 20 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220F

Diagrama de pines del 2SB1251-P

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB1251-P puede tener una ganancia de corriente de 5000 a 15000. La ganancia del 2SB1251 estará en el rango de 5000 a 30000, para el 2SB1251-Q estará en el rango de 8000 a 30000.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1251-P puede estar marcado sólo como "B1251-P".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB1251-P es el 2SD1891-P.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB1251-P

Puede sustituir el 2SB1251-P por el 2N6042, 2N6042G, 2SB1020, 2SB1020A, 2SB1227, 2SB1228, 2SB1252, 2SB1252-P, 2SB1481, 2SB1626, 2SB601, 2SB601-K, 2SB673, 2SB885, 2SB886, BD244C, BD540C, BD544C, BD546C, BD650, BD652, BD802, BD902, BD954, BD956, BDT60B, BDT60C, BDT62B, BDT62C, BDT64B, BDT64C, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW24C, BDW47, BDW47G, BDW48, BDW54C, BDW54D, BDW64C, BDW64D, BDW74C, BDW74D, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, BDX54C, BDX54CG, BDX54D, BDX54E, BDX54F, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF127, MJF127G, MJF15031, MJF15031G, MJF6668, MJF6668G, TIP107, TIP107G, TIP127, TIP127G, TIP137, TIP137G, TIP147T o TTB1020B.
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