Bipolartransistor MPSW63

Elektrische Eigenschaften des Transistors MPSW63

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -10 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
  • Verlustleistung, max: 1 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 10000
  • Übergangsfrequenz, min: 125 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des MPSW63

Der MPSW63 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum MPSW63 ist der MPSW13.

SMD-Version des Transistors MPSW63

Der MMBTA64 (SOT-23), MMBTA65 (SOT-23), PMBTA64 (SOT-23), PZTA64 (SOT-223) und PZTA65 (SOT-223) ist die SMD-Version des MPSW63-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MPSW63

Sie können den Transistor MPSW63 durch einen MPSW64 ersetzen.
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