Bipolartransistor MPSW63
Elektrische Eigenschaften des Transistors MPSW63
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -10 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
- Verlustleistung, max: 1 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 10000
- Übergangsfrequenz, min: 125 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des MPSW63
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Komplementärer NPN-Transistor
SMD-Version des Transistors MPSW63
Ersatz und Äquivalent für Transistor MPSW63
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